| 研究課題/領域番号 |
22K11960
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| 研究機関 | 東京電機大学 |
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研究代表者 |
小松 聡 東京電機大学, 工学部, 教授 (90334325)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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| キーワード | CMOS / MEMS / センサ / 協調設計 |
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| 研究実績の概要 |
本研究では、集積回路(Very Large Scale Integration: VLSI)とMEMS(Micro-Electro-Mechanical-Systems)センサをCMOSプロセスによる同一のチップ上に混載することで、より小型で高性能なMEMS-CMOS混載センサシステムを実現することを目指している。
また、その実現のために、CMOS VLSIでの自動設計技術を応用することで、仕様から最終的なセンサシステムに至るまでの一貫した設計支援技術を構築することを研究の目的としている。通常、MEMSセンサの設計では要求仕様（分解能、レンジ、サイズ、など）に応じて熟練のMEMS設計者が設計を行う。一方で、VLSI設計においては性能や面積などの要求仕様からそれを満たす設計を自動生成する高位合成技術が実用的になってきており、本研究ではそのアイディアをMEMSセンサ自動生成に適用する。
2023年度は，主にCMOSプロセス上にMEMSセンサを作製し、CMOS集積回路とMEMSセンサを一つのチップ上に実現するための技術の確立を中心に研究を進めた．CMOSプロセス技術で実装したCMOS集積回路と同一チップ上にポストプロセスによってMEMSセンサを作製する手法について，作製→評価を繰り返すことによってMEMS-CMOS混載センサシステムの自動生成に向けた環境を整えた．
また，前年度から引き続き行っていた，与えられた要求仕様を満たすようなMEMSセンサの自動生成技術については，Design, Test, Integration & Packaging of MEMS/MOEMS (DTIP2023)において成果発表を行った．
今後は、CMOS集積回路とMEMSセンサの協調シミュレーション環境およびMEMSセンサの自己キャリブレーション技術の確立を目指す。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
CMOS集積回路とMEMSセンサを一つのチップ上に実現するための技術については、複数回の試作を通じて見通しが立ちつつある。また、MEMSセンサのレイアウトパラメータの自動生成についても、実現することができた。
一方で、CMOS集積回路とMEMSセンサの協調設計について、今後、重点的に研究を進める必要がある。
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| 今後の研究の推進方策 |
今後は、CMOS集積回路とMEMSセンサの協調シミュレーション環境およびMEMSセンサの自己キャリブレーション技術の確立を目指す。
CMOS集積回路とMEMSセンサを一つのチップ上に実現するための技術については、複数回の試作を通じて見通しが立ちつつある。また、MEMSセンサのレイアウトパラメータの自動生成についても、実現することができた。
一方で、CMOS集積回路とMEMSセンサの協調設計について、今後、重点的に研究を進める必要がある。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
30,496円の次年度使用額が生じたが、本課題の3年間の中では少額であり、また、近年の物価高騰などから次年度の配分予定額と合わせて使用する予定である。
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