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酸化物半導体は、暗励起子デバイス応用が期待される候補材料の一つである。本研究では、コバルト添加酸化亜鉛のナノスケール不均一性を設計し、作製する方法を開発した。これにより転移温度を設計することが可能となった。さらに、大面積成膜可能なオンアクシススパッタリング法によりツリウム鉄ガーネット薄膜を作製できることを示した。高エネルギー負イオン照射が磁気特性を劣化させるという従来の通説にとらわれず、実験結果により他手法と同等の磁気特性を得ることを示した。これより、比較的簡便な反応性スパッタリングが新しい酸化物材料の作製においても有力な手法であることを示した。
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