| 研究課題/領域番号 |
22K14294
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
平井 悠久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究員 (10828122)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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| キーワード | 半導体 / パワーデバイス / 結晶 / 界面 / エッチング / 電気特性 / 窒化ガリウム |
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| 研究実績の概要 |
予算申請時に検討していたエピ構造のGaN基板について、メーカーとエピ構造についてうちあわせ、正確な評価を可能にするエピ構造の設計を検討し、購入へ進んだ。完成品においてチャネル長1.5μmが正確に作製されていることを外注分析を用いて確かめることができ、またチャネル部における不純物密度も設計どおりであることを確認した。同基板を用いてトレンチMOSチャネルを評価するためのMOSFETパターンを新規に検討し、フォトマスクを作製してMOSFETを試作した。数か月の試作期間を経て、本研究で着目する微傾斜結晶面においてGaNのMOSFET動作を確認することができた。作製したMOSFETは素子構造によっては歩留まりに課題があり、素子の段差部に由来して電流リークが発生していると考えられたため、電流リークをさえぎるための絶縁層を作製する工程を追加する改善プロセスを適用した試作を実施している。一方、チャネルの抵抗値を正確に抽出する課題においては、チャネル以外の抵抗値を正確に比較除去する評価方法を確立し、それらとの差分として>100cm2/Vsのチャネル移動度が得られ、評価素子として使用できることを確かめた。これらをもって、微細なトレンチ側壁のチャネル移動度の評価TEGを確立できており、３年次にはより高い歩留まりの素子でプロセス依存性の詳細を検討できる見込みである。また、本研究の成果に基づいて特許出願した。さらに、国内学会2件において成果発表を実施し、ワイドギャップ半導体のパワーデバイス応用分野にアピールすることができた。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
本研究の特徴的な微傾斜結晶面を用いてMOSFETを作製した。さらに、専用設計のエピ基板とフォトマスクを用いて正確なチャネル抵抗の評価を可能にし、微傾斜結晶面を用いたオリジナルのプロセス開発を実験的に実証した。歩留まりの改善に課題があるものの、原因解明と対策プロセスを適用した試作をすでに実施しており、MOSFET動作も確認することができたことから、二年次の目標を達成したと言える。
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| 今後の研究の推進方策 |
本研究の特徴的な微傾斜結晶面を用いてMOSFETを試作でき、特性の正確な抽出が可能であることを確かめたため、当初の予定どおりプロセス依存性の評価および、高移動度の実証へ進む。MOSチャネル移動度>150cm2/Vsを微傾斜結晶面で達成する。微傾斜結晶面である場合とそうでない場合の特性の相違について、チャネル移動度のみならずしきい電圧などのMOSデバイスに重要なパラメータについて多角的に比較することで、微傾斜結晶面のパワーデバイス応用におけるポテンシャルを見極めるための実験と解析を進める。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
一部の消耗品の調達金額が想定を下回った。次年度に別途消耗品の充当に活用する。
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