研究課題
若手研究
結晶中に存在する線状の結晶格子欠陥を「転位」という．近年の理論解析により，II-VI族化合物半導体の1つである硫化亜鉛（ZnS）中の転位において，その原子・電子構造が，キャリアをトラップすることで変化することがわかってきた．そこで本研究では，外部からの光照射に応答して変化する転位の電子構造について，光吸収測定を用いた実験的な観測に挑戦し，これに成功した．
材料工学
第一原理を用いた理論計算により，硫化亜鉛を含むII-VI族化合物半導体中の転位において，キャリアトラップにより，その原子・電子構造が変化することが明らかになってきた．こうした転位の原子・電子構造変化は，機械特性にとどまらず，様々な機能特性発現の起源となりうる．一方で，その実験的な観測はこれまで実施されてこなかった．本研究により，光励起による転位の電子構造変化の実験的な評価が可能となった．
