|
超小型・高精細な「マイクロLEDディスプレイ」の実現にむけて、窒化物半導体光デバイスに期待が寄せられている。これまで、素子の微細化に伴って生じる非発光過程である、表面再結合過程の評価が十分でなかったが、表面敏感な二光子光電子分光法と従来の発光分光測定を組み合わせることにより、表面キャリア寿命の直接評価が可能であることを示した。異材料への適用も可能な評価手法の開発という観点から、学術的意義の高い結果が得られた。また、従来のGaAs系材料に比べると、表面再結合の影響が小さいことが示唆され、マイクロLED高効率化に向けた窒化物半導体開発の指針を得た点では、社会的な意義も高い成果となったと考える。
|
