開発した超高速赤外ナノイメージング法は多様な光半導体におけるキャリアダイナミクスの不均一性を明らかにするのに十分な分解能と感度を示していることが分かった。これによって、特に低次元物質などの大きな表面体積比を有する物質群で、基板や周囲との相互作用、また端状態によって誘起されるキャリアや励起子の空間的不均一性を明らかにするための一般的な手法を確立したと考えている。さらに真空剥離後に保護膜を蒸着した二次元ペロブスカイト結晶中で励起子ダイナミクスの不均一性が観測されており、結晶端などでの挙動を今後詳しく理解することで、励起子と格子の相互作用が時空間ダイナミクスに与える影響が明らかになると考えている。
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