2022 年度審査結果の所見

独自低温金属蒸着法による酸化物エレクトロニクスの革新

研究課題

研究課題/領域番号	22K18293
研究種目	挑戦的研究(開拓)
配分区分	基金
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	東京大学
研究代表者	Le DucAnh 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (50783594)
研究期間 (年度)	2022-06-30 – 2026-03-31
研究の概要	従来，酸化物半導体でP型を実現するのが困難であり，この問題を解決するため，電子相関を利用して値電子帯に正孔をドープする低温金属蒸着法を適用する．この方法は応募者が開発したものであり，P型形成を困難にしていた酸素欠損の形成を抑制できる効果がある．応募者はこの低温金属蒸着法を実証済みであり，これから集積回路の低コスト化と大面積化可能なプロセスの確立を目指している．
学術的意義、期待される成果	酸化物半導体でP型を実現することは非常にインパクトがあり，低コストかつ大面積化可能な集積化技術が確立できれば産業界へ大いに貢献できると考えられる．学術的にも新領域を開拓できる可能性が大いにあり，具体的にN型SrTiO3の基盤表面に低温金属蒸着法を用いてP型を形成することを示唆しており，実現性も高く評価できる．