研究課題/領域番号 |
22K18307
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研究種目 |
挑戦的研究(開拓)
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配分区分 | 基金 |
審査区分 |
中区分26:材料工学およびその関連分野
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
舟窪 浩 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (90219080)
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研究分担者 |
岡本 一輝 東京工業大学, 物質理工学院, 助教 (60965937)
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研究期間 (年度) |
2022-06-30 – 2025-03-31
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研究の概要 |
本研究は、超低消費電力で動作する革新的強誘電体デバイスをこれまで不可能とされてきた室温合成を目指そうとする挑戦的な研究である。応募者が過去に室温合成に成功した蛍石構造のHfO2基強誘電体の合成法に基づいて無機強誘電体の室温製膜機構を確立し、反応層形成により性能が劣化する高温での成膜材と同等の性能を見出す目的である。
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学術的意義、期待される成果 |
低温合成により強誘電性に優れる単純化合物群を明らかにすることは、結晶構造由来の強誘電性発現機構を深く理解することにつながるため、学術的意義がある。特に、陽イオンの種類を1種類とすることで室温合成を可能にしようとするアイディアは興味深い。また、低温合成で強誘電体群を作製することができれば、産業利用へのコストの削減につながり、産業界にもインパクトを与える.
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