本研究は,自動運転技術や通信技術,生体計測技術など,昨今重要視されている近赤外イメージセンサの分野において,シリコンイメージセンサの近赤外感度を大幅に向上する技術革新をもたらすことに挑戦する研究である.本研究期間内の達成目標として,波長940nmにおけるシリコン吸収効率を可視光域と同等の50%以上となるよう劇的な感度向上を目指す.裏面照射型イメージセンサを考慮して解析し,プラズモニック回折によるシリコン層で光を閉じ込めるような機構を新たに考案した.これにより波長940nmにおいて吸収効率53.3%が得られることを解析的に明らかにした.
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