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電子回路の微細化はナノテクノロジーとともに進歩し、2030年にはEUVリソグラフィの登場により3nm近くになると予想されている。しかし、5 nm以下では量子サイズ効果や表面エネルギーによる格子歪、結晶性の消失による新たなクラスター構造の発現など、物質の性質が大きく変化し、従来のナノテク材料が通用しない可能性が高い。高アスペクト比回路のパターン倒壊などの問題もあり、微細化速度は年々衰えている。この状況を打破するためには、ポストナノテクノロジー、すなわちナノ-サブナノ領域の材料科学が必須であり、本提案の手法はそのキーテクノロジーとなる可能性がある。
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