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太陽電池に用いられている正孔輸送材料や光吸収層には、高い移動度を示す高性能なp型半導体が必要であり、近年、その候補としてCu（I)半導体材料が検討されている。しかし、構成元素である一価のCuイオンでは、一般的に用いられる置換型不純物による不純物ドーピングを用いることができないため、デバイス性能の最適化に必要なp型半導体層のキャリア濃度制御が困難であった。本課題では、実験・理論両面の検討から複数のCu（I)半導体材料において、銅と等原子価のアルカリ金属が正孔濃度を向上させる有効な不純物ドーパントであることを示した。
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