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GaNウエハの加工コストを削減し、加工品質と効率を向上させるために、減圧プラズマ援用研磨（Plasma-assisted Polishing: PAP）法を提案した。PAP研磨レートを律速している表面改質レートを向上させるために、ガス種、チャンバー圧力、反応ガス濃度、電力密度等のプラズマ発生条件の最適化を行った。最適なプラズマ改質条件を用いて、GaNウエハの減圧PAP実験を実施した。PAP前のGaNウエハはCMPによって研磨されたが、スラリー中に含まれるアルカリ成分が結晶欠陥部においてエッチピットが多数存在した。一方で、1時間PAP加工によって、ピットフリーかつ表面粗さSa 0.2 nmのGaN表面が得られた。
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