|
GaNは高硬度ゆえに粗加工にはダイヤモンド工具を用いた機械加工が適用され、最終仕上げにはスラリーと呼ばれるアルカリ等の薬液と砥粒を含む懸濁液を用いたCMPプロセスが一般的に用いられる。しかし、材料の表面欠陥がアルカリ成分によって浸食されてエッチピットが形成されるために表面粗さが悪化する、凝集による砥粒の粗大化によりスクラッチが形成される、スラリーの購入コストと環境負荷が大きい等、多数の問題点を有している。本研究では、スラリーを用いない完全ドライな減圧プラズマ援用研磨法の開発により、GaNウエハの加工コストの低減とGaNデバイスの社会実装に貢献できる。
|
