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2023 年度 実績報告書

窒化物の高速相変化現象とそのメモリデバイスへの展開

研究課題

研究課題/領域番号 22K20474
研究機関東北大学

研究代表者

双 逸  東北大学, 材料科学高等研究所, 助教 (10962144)

研究期間 (年度) 2022-08-31 – 2024-03-31
キーワード相変化材料 / 相変化メモリ / 窒化物 / 不揮発性メモリ / アモルファス相 / 結晶相
研究実績の概要

本年度得られた結果は以下の通りである。
1、放射光を用いたX線吸収微細構造(XANES)などを通して、CrNの化学結合・電子状態変化を調査し、その相変化メカニズムを明らかにした。
2、実際のPCRAMセル構造と近いマッシュルーム型デバイスを開発し、動作特性の評価を行った。当該デバイスは、大きなON/OFF比(最大106)、高速なスイッチング速度(30ns)、および優れた書き換え繰り返し性能を実証できた。さらに、実用化されたGSTの性能との比較を行った。ヒーターサイズが37 nmの場合、CrNの消費エネルギーは47 pJであり、GSTデバイスと同じ構造のものよりも一桁低い(385 pJ)ことが示された。動作エネルギーがGSTデバイスよりも大幅に低減できるのは、CrN層内の融解が必要なく、かつ小さい相変化領域に起因している可能性が考えられる。
3、CrN相変化挙動とメモリ動作に関して、他の窒化物への拡張も検討している。最初の試みはCrN構造に類似するMoNとVN窒化物である。まだ成膜段階ではあるが、MoNとVNの成膜後も、CrNと同様の結晶構造が確認された。また、薄膜の電気特性も調査し、低抵抗状態の半導体特性を示すことができた。今後は、MoNとVNのデバイスを製作し、その動作性能を評価し、本研究のCrN相変化材料のさらなる性能向上を図る。
これらの成果は、材料科学、応用物理学、および情報技術の分野において、新たな知見をもたらし、革新的な技術開発やエネルギー効率の向上に貢献することが期待される。

  • 研究成果

    (4件)

すべて 2024 2023

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (1件) (うち国際学会 1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Direct observation of phase-change volume in contact resistance change memory using N-doped Cr2Ge2Te6 phase-change material2024

    • 著者名/発表者名
      Shuang Yi、Ando Daisuke、Song Yunheub、Sutou Yuji
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 124 ページ: 061907,1-6

    • DOI

      10.1063/5.0190632

    • 査読あり
  • [雑誌論文] NbTe<sub>4</sub> Phase‐Change Material: Breaking the Phase‐Change Temperature Balance in 2D Van der Waals Transition‐Metal Binary Chalcogenide2023

    • 著者名/発表者名
      Shuang Yi、Chen Qian、Kim Mihyeon、Wang Yinli、Saito Yuta、Hatayama Shogo、Fons Paul、Ando Daisuke、Kubo Momoji、Sutou Yuji
    • 雑誌名

      Advanced Materials

      巻: 35 ページ: 2303646,1-9

    • DOI

      10.1002/adma.202303646

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] Phase-change Chromium Nitride2023

    • 著者名/発表者名
      Yi Shuang, Shunsuke Mori, Takuya Yamamoto, Shogo, Hatayama, Yun-Heub Song, Jin-Pyo Hong, Daisuke Ando, Yuji Sutou
    • 学会等名
      E/PCOS2023
    • 国際学会
  • [産業財産権] 抵抗変化材料、スイッチ素子用材料、スイッチ層、スイッチ素子及び記憶装置2023

    • 発明者名
      須藤 祐司、SHUANG YI
    • 権利者名
      須藤 祐司、SHUANG YI
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      113111134

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公開日: 2024-12-25  

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