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グラフェンが示す特異的な電気・熱伝導特性を超える特性を示すGeの二次元原子層であるゲルマネンの実現が切望されている。本研究では、ゲルマネンを結晶構造内に含む層状物質の層間物質制御に着目し、電気伝導特性の制御に取り組んだ。層間元素を制御した新規ゲルマネン層状物質を開発し、ゲルマネン由来の高移動度と高熱電特性を実現することに取り組んだ。作製した薄膜と塩酸との反応時間を制御することで、層間物質の制御に成功し、ゲルマネン構造を含有する新規層状物質を発見した。また、電気特性も金属から半導体まで大幅に制御可能であることを見出した。
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