研究課題
本研究では、500℃までの高温MEMS磁気センサーを開発することを目指す。 今年度は、単結晶ダイヤモンド を巨大な磁歪 FeGa 膜と結合することにより、オンチップの統合型単結晶ダイヤモンド (SCD) MEMS 磁気トランスデューサを実証した。 FeGa 膜は、機械共振子の駆動、外部磁場の自己感知、および共振信号の電気的な読み取りのために多機能化された。 オンチップ単結晶ダイヤモンド MEMSトランスデューサは、室温から500℃まで3.2 Hz/mTの高感度と、300℃まで9.45 nT/Hz^0.5の低ノイズレベルを示した。 共振周波数の最小変動は室温で1.9×10^(-6)、300℃で2.3×10^(-6)で、高温でも10nT未満の磁場分解能をを達成した。 さらに、並列電気読み出しを備えた単結晶ダイヤモンド MEMS 共振器アレイも実現され、磁気イメージ センサーの開発への道が開かれた。8x8 ダイヤモンドMEMSカンチレバーアレイも開発された。 今回の研究により、高性能および高い熱安定性を備えた、集積されたオンチップ MEMS 共振器トランスデューサの開発が期待されている。
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すべて 雑誌論文 (3件) (うち国際共著 1件、 査読あり 3件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (5件)
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