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本研究では，n型BaSi2膜の高品質化，および太陽電池応用に向けたシミュレーションを行った。BaSi2のn型ドーパントであるPとAsを用いてn型BaSi2薄膜を作製し，物性の評価を行った。Pについては，BaSi2中での拡散係数の導出，およびイオン注入を用いた太陽電池応用に着手した。これまでBaSi2太陽電池に用いられていたSbと比較して2桁小さい拡散係数を示し，イオン注入を用いたBaSi2太陽電池の初動作を実証した。この成果は，あらゆる手法により作製したBaSi2膜に応用可能であり、新たなBaSi2太陽電池の設計方法を提示した。
次に，Asを添加したBaSi2薄膜の光学特性の向上にむけて，これまで高い光学特性を示してきたSi-rich条件で堆積したBaSi2膜への高温の加熱を行った。光学特性の評価には，太陽電池の光電流を決定するパラメーターである，分光感度を測定した。加熱しない試料と比較して，1000°Cで2分間の加熱後に分光感度が約3倍に向上した。この結果は，n型不純物を添加したn型BaSi2薄膜において、最も高い分光感度である。さらに，これまで高い分光感度を示していた，Bを添加したp型BaSi2薄膜と同程度の光学特性であり、BaSi2太陽電池の設計自由度が大幅に拡大した。
上記の結果をもとに，n型BaSi2薄膜の太陽電池応用に向けて，デルフト工科大学との共同研究によりシミュレーションを用いた太陽電池設計を行った。 太陽電池の基本構造はpn接合であるため，n型BaSi2光吸収層にはp型BaSi2層のキャリア輸送層が候補になる。しかし，p型BaSi2は光吸収係数が大きく，n型BaSi2膜での光電流密度が制限される。そこで，ワイドバンドギャップ半導体に着目し，最適な構造を決定した。
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