研究課題
本研究では、ペロブスカイト型酸化物界面の二次元電子ガスを用いたスピン流-電流相互変換の物理現象開拓と超低消費電力動作可能なメモリの実現を目指す。本年度は、分子線エピタキシー法を用いて、ペロブスカイト型酸化物LaTiO3をSrTiO3基板上に作製した。X線回折法、走査型透過電子顕微鏡、原子間力顕微鏡等を用いて構造評価を行い、極めて高品質な試料ができたことを確認した。そして、LaTiO3/SrTiO3界面に生じる二次元電子ガスの電気伝導評価を行った。続いて、スピン流-電流変換を実証するために、(La,Sr)MnO3/LaTiO3/SrTiO3という構造を作製し、構造、電気伝導、スピン流-電流変換効率の測定を行った。こちらも極めて高品質な結晶を得ることができた。本系は、低温において、全ての材料系で最大のスピン流-電流変換効率を記録した。高いスピン流-電流変換効率の起源を調べるために、放射光施設を用いてLaTiO3/SrTiO3界面のバンド構造評価を行った。実験から得られたバンド構造を再現できるように、理論計算から得られるバンド構造のパラメータの最適化を行った。そして、計算より得られたバンド構造を用いて、理論的に高効率スピン流-電流変換の起源を明らかにした。また、SrTiO3界面の二次元電子ガスを書き込み層としたメモリ動作に向けて、強磁性ペロブスカイト型酸化物であるSrRuO3に着目し、分子線エピタキシー法を用いてSrTiO3基板上に作製を行った。構造、電気伝導評価から、世界最高品質クラスのSrRuO3薄膜の作製に成功した。磁化や電気伝導の膜厚依存性に関して詳細な調査を行い、メモリ応用に向けた、最適な膜厚、抵抗値、磁化特性などの知見を得ることができた。
1: 当初の計画以上に進展している
研究実施計画に示した通り、ペロブスカイト型酸化物LaTiO3/SrTiO3界面における二次元電子ガスの成長条件を確立させ、極めて高品質の結晶と界面を確認した。そして、(La,Sr)MnO3/LaTiO3/SrTiO3という構造において、スピン流-電流変換効率の評価を行い、世界最高効率のスピン流-電流変換を実証した。また、界面のバンド構造や理論計算から、スピン流-電流変換効率の物理的起源を明らかにした。これらの成果は、国際学会や国内学会で高く評価されている。加えて、次年度以降に行う予定だったサブテーマの強磁性ペロブスカイト型酸化物SrRuO3におけるワイルフェルミオンの特性や膜厚依存性を明らかにした。これらの成果は論文として出版されたとともに、国内学会で高く評価された。
SrTiO3界面の二次元電子ガスを用いた高効率電流-スピン流変換を用いた磁化反転を目指す。初めに、分子線エピタキシー法を用いてペロブスカイト型酸化物LaAlO3/SrTiO3やLaTiO3/SrTiO3の成長に取り組み、結晶の高品質化を行う。これら材料の界面に生じる二次元電子ガスの電気伝導評価を行う。続いて、面直磁化を有するTbFeCoやSrRuO3などの成長条件最適化を行う。そして、上記の材料を組み合わせて、高効率磁化反転を目指す。また、LaTiO3/SrTiO3界面での高効率スピン流-電流変換の研究より得られた知見をいかして、より高効率のスピン流-電流変換材料の探索やその物理的起源を明らかにする。サブテーマとして提案された強磁性ペロブスカイト型酸化物SrRuO3について、スキルミオンやワイルフェルミオンの新規現象開拓やエレクトロニクス応用の開拓を目指す。
すべて 2022 2021
すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 3件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (16件) (うち国際学会 4件、 招待講演 2件)
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