• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2022 年度 実績報告書

電力変換回路の小型集積化に向けたSiC MOSFETのディジタル駆動回路の開発

研究課題

研究課題/領域番号 21J22448
配分区分補助金
研究機関京都大学

研究代表者

高山 創  京都大学, 工学研究科, 特別研究員(DC1) (30981063)

研究期間 (年度) 2021-04-28 – 2024-03-31
キーワードディジタルアクティブゲートドライブ / 炭化ケイ素(SiC) / パワーMOSFET / 最適化 / パワーエレクトロニクス
研究実績の概要

本研究では,次世代パワー半導体として期待されている炭化ケイ素 (SiC) パワーMOSFETの活用のため,ゲートドライブ回路をフルデジタル化する技術を検討している.回路実装後においても,動作条件やデバイス特性の差異を考慮してその駆動をソフトウェアにより変更することができるため,駆動する素子や動作条件に応じた駆動回路のハードウェア設計が不要となり,より柔軟な電力変換回路動作の実現につながる.そのようなコンセプトの実現に向け,デジタル・アナログ変換回路の回路構造を応用したデジタルアクティブゲートドライバ (DAGD)を提案し,その有効性を検証している.
今年度の取り組みとして,前年度から検討を進めていた遺伝的アルゴリズムによるDAGDの動作の最適化手法を,シミュレーションと実験の双方で適用可能なデジタルツイン構造を持つシステムとして実証した.シミュレーションによってあらかじめ予測された駆動パラメータの最適解と,実験において得られた最適解が良く一致することを確認した.さらに,複数の素子および複数の動作条件下で同最適化システムを適用し,その汎用性を確認した.これらの成果によって,SiCパワー素子の性能を引き出すための駆動回路の最適化というヒューリスティクスな課題に対して,ソフトウェアによる対応が可能であることを実証した.回路パラメータの微調整のようなアナログ的手法からソフトウェアの変更というデジタルな手法への転換により,回路設計者のノウハウに頼らない電力変換回路の性能向上が可能となる.この結果は,動作条件の変更や素子の特性の劣化等に追従して最適動作を行うようなソフトウェアの開発など,次年度の検討の土台となるものである.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本研究は、現在までのところ,概ね予定通りの進捗となっている。本年度の研究における目的として挙げていた、遺伝的アルゴリズムをベースにした駆動アルゴリズムの開発および実証を進め,数値計算と実験の双方とのインターフェースとなるデジタルツイン構造の駆動回路最適化という画期的なシステムを構築した.素子の特性や動作条件の差異に関わらず最適な駆動解を導けることを確認し,適用先に応じた駆動回路の微調整をすべてソフトウェアにより行うというコンセプトの実現により大きく近づいた.
本システムは回路設計の初期段階における最適化を対象としているが,その構造を応用することで,回路動作中の特性変化等に追従して駆動を調整するような,より実用に際したアルゴリズムの開発も可能となる.そのような将来的な展開につながる土台を確立したという観点からも,当該年度の成果を評価できる.

今後の研究の推進方策

これまでの検討では,単一の素子を主な対象としてその駆動を最適化することに注力してきた.SiCパワー素子の回路応用では,素子を複数直並列に接続して使用する際に,素子の特性や回路レイアウトの差異に起因するスイッチング動作の不均衡が課題となっている.本研究で提唱するDAGDによる駆動システムを応用し,素子毎にスイッチング特性を微調整することで,個々の素子が分担する電流や電圧をバランス化する技術を開発する.組み合わせ最適化の手法を適用することで,素子の特性や回路レイアウトの差異が未知の場合においても,回路動作を損なわないような駆動を実現することが期待される.また,素子の特性や回路動作の変化に追従して駆動パラメータを変更するようなアルゴリズムの開発も引き続き進める.これらの技術を最終的に統合し,実際の電力変換回路の動作へと適用してその実用性を示す.

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2023 2022 その他

すべて 国際共同研究 (1件) 雑誌論文 (1件) 学会発表 (7件) (うち国際学会 5件)

  • [国際共同研究] スイス連邦工科大学ローザンヌ校(スイス)

    • 国名
      スイス
    • 外国機関名
      スイス連邦工科大学ローザンヌ校
  • [雑誌論文] Slew rate control of switching transient for SiC MOSFET in boost converter using digital active gate driver2022

    • 著者名/発表者名
      Fukunaga Shuhei、Takayama Hajime、Hikihara Takashi
    • 雑誌名

      IET Power Electronics

      巻: 16 ページ: 472~482

    • DOI

      10.1049/pel2.12398

  • [学会発表] Square-Wave Source with Adjustable dv/dt for Insulation Testing under Mixed-Frequency Stresses2023

    • 著者名/発表者名
      Hajime Takayama, Chengmin Li, Jennifer Abou-najm, Takashi Hikihara, Drazen Dujic
    • 学会等名
      Applied Power Electronics Conference (APEC) 2023
    • 国際学会
  • [学会発表] 電圧制御型アクティブゲートドライブにおけるスイッチング特性の分布に関する検討2023

    • 著者名/発表者名
      金本公平, 高山創, 引原隆士
    • 学会等名
      2023年電子情報通信学会総合大会
  • [学会発表] ダブルパルス試験による事前決定駆動パラメータを用いた電力変換回路の動特性改善2023

    • 著者名/発表者名
      福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士
    • 学会等名
      令和5年電気学会全国大会
  • [学会発表] A study on digital active gate driving of DC-DC converter for suppressing switching surge voltage2022

    • 著者名/発表者名
      Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, Takashi Hikihara
    • 学会等名
      2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-)
    • 国際学会
  • [学会発表] Simulation Tool for Optimization of Digital Active Gate Drive Sequence Using Genetic Algorithm2022

    • 著者名/発表者名
      Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, Takashi Hikihara
    • 学会等名
      24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2022 ECCE Europe)
    • 国際学会
  • [学会発表] An Estimation of Load-dependent Characteristics of SiC Power MOSFETs while Active-gate-driving2022

    • 著者名/発表者名
      Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, Takashi Hikihara
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2022
    • 国際学会
  • [学会発表] Exhaustive Search of Digitized Gate Voltage for SiC MOSFETs2022

    • 著者名/発表者名
      Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, Takashi Hikihara
    • 学会等名
      2022 International Symposium on Nonlinear Theory and Its Application (NOLTA)
    • 国際学会

URL: 

公開日: 2023-12-25  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi