2015 年度研究成果報告書

化合物半導体ナノワイヤによる光デバイス応用

研究課題

研究課題/領域番号	23221007
研究種目	基盤研究(S)
配分区分	補助金
研究分野	マイクロ・ナノデバイス
研究機関	北海道大学
研究代表者	福井孝志北海道大学, 情報科学研究科, 名誉教授 (30240641)
研究分担者	冨岡克広北海道大学, 大学院情報科学研究科, 助教 (60519411)
研究期間 (年度)	2011-04-01 – 2016-03-31
キーワード	化合物半導体 / ナノワイヤ / 結晶成長 / 発光ダイオード / 太陽電池
研究成果の概要	電電子線描画法による微細パターン形成技術と有機金属気相成長法とを組み合わせて、化合物半導体ナノワイヤの選択成長技術を確立するとともに、結晶構造相転移、グラフェン上の成長機構などを解明した。ガリウムヒ素、インジウムリン等の半導体ナノワイヤは、その結晶形態を電子顕微鏡で解析、光学特性をフォトルミネッセンスで解明すると共に、異種接合やp-n接合を作製して、発光ダイオード、太陽電池素子、さらに縦型トランジスタとしての動作原理を確認する等、次世代ナノエレクトロニクスへの応用展開の可能性を見出した。
自由記述の分野	工学