| 研究課題/領域番号 |
23226008
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
長 康雄 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (40179966)
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| 研究分担者 |
山末 耕平 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (70467455)
平永 良臣 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (70436161)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 走査型非線形誘電率顕微鏡 / 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡 / 走査型非線形誘電率ポテンショメトリ / 強誘電体記録 / 超高密度記録 / 化合物パワー半導体デバイス |
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| 研究成果の概要 |
次数の高い高次微分項まで計測し，より詳細な物理情報が取得できる新しいSNDM 法（超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM 法）を開発した．本手法を用いると，計測ピクセルごとに局所C - V 曲線を再構成することが簡単に行え，分析能力が飛躍的に増大する．次に双極子モーメント由来の発生電位を原子分解能で可視化する走査型非線形誘電率ポテンショメトリ（SNDP）が開発された．本手法を用いて，4H-SiC(0001)基板上に形成された単層グラフェンの形状像と表面電位分布の同時観察に成功した．最後に回転ディスク型強誘電体記録再生方式において3.4Tbit/inch2の超高密度記録を実現した．
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| 自由記述の分野 |
誘電体工学
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