研究課題
基盤研究(A)
本研究では,垂直磁化を有するCoFeBを強磁性層とするCoFeB/MgO/GaAs磁気トンネル接合を有する3端子阻止を作製し,磁気輸送特性測定,および顕微カー回転測定を行い,半導体GaAsにおけるスピン蓄積とスピン検出を実施した.磁気輸送測定では,スピン注入・蓄積を示唆するHanle効果を確認した.一方で,顕微カー回転測定においては±2Tの強い面内磁界を印加してもカー回転信号が残った.以上の結果から,明瞭なスピン注入・蓄積の光検出はできなかった.本研究を通じて,MgOとGaAs界面が面直スピン注入において重要であることがわかった.
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