| 研究課題/領域番号 |
23246056
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
吉川 明彦 千葉大学, 学術研究推進機構・産業連携研究推進ステーション, 特任教授 (20016603)
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| 研究分担者 |
草部 一秀 千葉大学, 学術研究推進機構・産業連携研究推進ステーション, 特任准教授 (40339106)
糸井 貴臣 千葉大学, 大学院工学研究科, 准教授 (50333670)
石谷 善博 千葉大学, 大学院工学研究科, 教授 (60291481)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 薄膜・量子構造 / 窒化物半導体 / 太陽電池 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、“1分子層”InN/GaN構造の高い構造完全性と特徴的な高温自己形成プロセスを高度化・展開し、InN/GaN擬似混晶の構造・物性制御への挑戦および太陽電池への応用について検討を行った。
MBEでの構造制御では、(1分子層InN)/(4分子層GaN)まで超薄膜化された短周期超格子がコヒーレント成長され、電子系が連続バンド状態を示したことから、InN/GaN擬似混晶バンドエンジニアリングの可能性が実証された。一方、MOVPEでは擬似混晶プロセスを導入したInGaN太陽電池の接合特性が大幅に改善され、20 MΩ・cm2以上(測定系検知限界)の世界最高水準の接合リーク抵抗が達成された。
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| 自由記述の分野 |
半導体物性および半導体デバイス
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