2013 年度研究成果報告書

ゲルマニウムＭＯＳ界面電気伝導機構の解明と高移動度化手法の確立

研究課題

研究課題/領域番号	23246058
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京大学
研究代表者	高木信一東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30372402)
連携研究者	竹中充東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授 (20451792)
研究期間 (年度)	2011-04-01 – 2014-03-31
キーワード	MOSFET / ゲルマニウム / 移動度 / 反転層 / サブバンド
研究概要	Ge MOSFETの実効移動度とホール移動度の比較により、キャリアが価電子帯内及び伝導帯内の界面準位に捕獲され、実効移動度の低下が起こること、また原子状重水素アニールにより、この準位が低減できることを明らかにした。また、ECRプラズマ酸化を用いた0. 76 nm のEOTをもつHfO2/Al2O3/GeOx/Ge MOSFETで690 cm2/Vs の電子移動度、550 cm2/Vs の正孔移動度を実証し、その面方位依存性を明らかにした。また、酸化濃縮法及び貼り合せ法により作製したGOI基板により、20nm以下の膜厚のGOI nMOSFETとpMOSFETの動作と移動度の評価に成功した。

研究成果
(50件)

すべて 2014 2013 2012 2011 その他

すべて雑誌論文 (21件) (うち査読あり 12件) 学会発表 (26件) (うち招待講演 11件) 図書 (2件) 備考 (1件)

[雑誌論文] Impact of Plasma Post Oxidation Temperature on the Electrical Properties of Al2O3/GeOx/Ge p- and n-MOSFETs2014
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, J.-C.Lin, X.Yu, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans, Electron Devices
  
  巻: vol.61, no.2 ページ: 416-422
- DOI
  10.1109/TED.2013.2295822
- 査読あり
[雑誌論文] Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Yokoyama, S.-H.Kim, R.Zhang and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 58(9) ページ: 137-148
- DOI
  10.1149/05809.0137ecst
[雑誌論文] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, S.-H.Kim, M.Yokoyama, R.Zhang, N.Taoka, Y.Urabe, T.Yasuda, H.Yamada, O.Ichikawa, N.Fukuhara, M.Hata and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics
  
  巻: Vol.88 ページ: 2-8
- DOI
  10.1016/j.sse.2013.04.020
- 査読あり
[雑誌論文] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 54(1) ページ: 39-54
- DOI
  10.1149/05401.0039ecst
[雑誌論文] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  Micoroelectron. Eng.
  
  巻: 109 ページ: 389-395
- DOI
  10.1016/j.mee.2013.04.034
- 査読あり
[雑誌論文] Impact of Plasma Post Oxidation Temperature on Interface Trap Density and Roughness at GeOx/Ge Interfaces2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, J.-C.Lin, X.Yu, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  Micoroelectron. Eng.
  
  巻: 109 ページ: 97-100
- DOI
  10.1016/j.mee.2013.03.034
- 査読あり
[雑誌論文] Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.S.-H.Kim, R.Zhang, N.Taoka, Yokoyama and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 53(3) ページ: 97-105
- DOI
  10.1149/05303.0003ecst
[雑誌論文] III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Yokoyama, S.-H.Kim, R.Suzuki, R.Zhang, N.Taoka and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 53(3) ページ: 85-96
- DOI
  10.1149/05303.0085ecst
[雑誌論文] High Mobility Ge p- and n-MOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, J.-C.Lin, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: vol.60, no.3 ページ: 927-934
- DOI
  10.1109/TED.2011.2176495
- 査読あり
[雑誌論文] Atomic Layer-by-Layer Oxidation of Ge (100) and (111) Surfaces by Plasma Post Oxidation of Al2O3/Ge Structures2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, J.-C.Lin, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: vol.102 ページ: 081603
- DOI
  10.1063/1.4794013
- 査読あり
[雑誌論文] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O32012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 50(9) ページ: 699-706
- DOI
  10.1149/05009.0699ecst
[雑誌論文] MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki N.Taoka, M.Yokoyama and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 50(4) ページ: 107-122
- DOI
  10.1149/05004.0107ecst
[雑誌論文] High Mobility Ge pMOSFET with 1 nm Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation2012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: vol.59, no.2 ページ: 335-341
- DOI
  10.1109/TED.2011.2176495
- 査読あり
[雑誌論文] Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates2011
- 著者名/発表者名
  J.-K.Suh, R.Nakane, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: vol.99 ページ: 142108
- DOI
  10.1063/1.3647631
- 査読あり
[雑誌論文] Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Yokoyama, Y.-H.Kim and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 41(7) ページ: 203-218
- DOI
  10.1149/1.3633300
[雑誌論文] MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, T.Hoshii and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 41(3) ページ: 3-20
- DOI
  10.1149/1.3633015
[雑誌論文] Suppression of ALD-Induced Degradation of Ge MOS Interface Properties by Low Power Plasma Nitridation of GeO22011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  J. Electrochem. Soc.
  
  巻: 158(8) ページ: G178-G184
- DOI
  10.1149/1.3599065
- 査読あり
[雑誌論文] Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness on Al2O3/Ge MOS Interface Properties2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  Microelectron. Eng.
  
  巻: vol.88, Issue 7 ページ: 1533-1536
- DOI
  10.1016/j.mee.2011.03.130
- 査読あり
[雑誌論文] Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 35(3) ページ: 279-298
- DOI
  10.1149/1.3569921
[雑誌論文] Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: vol.98 ページ: 112902
- DOI
  10.1063/1.3564902
- 査読あり
[雑誌論文] High Mobility Ge-based CMOS Device Technologies2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, S.Dissanayake and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: Vol.470 ページ: 1-7
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/KEM.470.1
- 査読あり
[学会発表] III-V/Ge CMOS Device Technologies for Future Logic LSIs2014
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  7th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  Swissotel Merchant Court, Singapore, Singapore
- 年月日
  20140602-04
[学会発表] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates2014
- 著者名/発表者名
  X.Yu, R.Zhang, J.Kang, T.Osada, M.Hata, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  21st International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA)
- 発表場所
  Ambassador Hotel Hsinchu, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  20140428-30
[学会発表] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO2/Al2O3/GeOx Gate Stacks and Strain Modulation2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, W.Chern, X.Yu, M.Takenaka, J.L.Hoyt and S.Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington Hilton, Washington, DC, USA
- 年月日
  20131209-11
[学会発表] Ultra-thin body MOS device technologies using high mobility channel materials2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, S.-H.Kim, M.Yokoyama, W.-K.Kim, R.Zhang and M.Takenaka
- 学会等名
  IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
- 発表場所
  Hyatt Regency Monterey Hotel and Spa, Monterey, USA
- 年月日
  20131007-10
- 招待講演
[学会発表] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)
- 発表場所
  National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
- 年月日
  20131006-09
- 招待講演
[学会発表] III-V/Ge MOS Interface Control Using and High k Films2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki, C.-Y.Chang, N.Taoka, S.-H.Kim, M.Yokoyama and M.Takenaka
- 学会等名
  15th Asian Chemical Congress (15ACC)
- 発表場所
  Resorts World Sentosa, Singapore, Singapore
- 年月日
  20130819-23
- 招待講演
[学会発表] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
- 発表場所
  Grand Hotel de Paris, Villard de Lans, France
- 年月日
  20130708-11
- 招待講演
[学会発表] Impact of Plasma Post Oxidation Temperature on Interface Trap Density and Roughness at GeOx/Ge Interfaces2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, Ju-Chin Lin, X.Yu, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
- 発表場所
  The Jagiellonian University, Cracow, Poland
- 年月日
  20130625-28
[学会発表] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang and M.Takenaka
- 学会等名
  18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
- 発表場所
  The Jagiellonian University, Cracow, Poland (plenary)
- 年月日
  20130625-28
[学会発表] Examination of Physical Origins Limiting Effective Mobility of Ge MOSFETs and the Improvement by Atomic Deuterium Annealing2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, J-C.Lin, X.Yu, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  2013 Symposia on VLSI Technology
- 発表場所
  リーガロイヤルホテル京都(京都府京都市)
- 年月日
  20130612-14
[学会発表] III-V/Ge CMOS device technologies2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  20th Symposium on Nano Device Technology (SNDT)
- 発表場所
  International Conference Hall of Nano Device Laboratory, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  20130425-26
- 招待講演
[学会発表] MOS interface engineering for high-mobility Ge CMOS2013
- 著者名/発表者名
  M.Takenaka, R.Zhang, and S.Takagi
- 学会等名
  International Reliability Physics Symposium (IRPS)
- 発表場所
  Hyatt Regency Monterey, Monterey, USA
- 年月日
  20130414-18
- 招待講演
[学会発表] MOS interface control in III-V/Ge gate stacks and the impact on MOSFET performance2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, N.Taoka, R.Suzuki, S.-H.Kim, M.Yokoyama, and M.Takenaka
- 学会等名
  2013 MRS (Material Research Society) Spring Meeting, Symposium CC "Gate Stack Technology for End-of-Roadmap Devices in Logic, Power, and Memory"
- 発表場所
  Moscone Center, San Francisco, USA
- 年月日
  20130401-05
- 招待講演
[学会発表] MOS interface control of high mobility channel materials for advanced CMOS applications2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki, N.Taoka, M.Yokoyama and M.Takenaka
- 学会等名
  3rd Molecular Materials Meeting (M3)
- 発表場所
  Singapore, Singapore
- 年月日
  20130114-16
- 招待講演
[学会発表] Physical Mechanism Determining Ge p- and n-MOSFETs Mobility in High Ns Region and Mobility Improvement by Atomically Flat GeOx/Ge Interfaces2012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, J.-C.Lin, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  2012 International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  20121209-11
[学会発表] MOS interface and channel engineering for high-mobility Ge/III-V CMOS2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, S.-H Kim, N.Taoka, M.Yokoyama, J.-K.Suh, R.Suzuki, Y.Asakura, C.Zota and M.Takenaka
- 学会等名
  2012 International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  20121209-11
- 招待講演
[学会発表] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O32012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  Symposium on 5th International SiGe, Ge, & Related Compounds : Materials, Processing, and Devices, Symposium E of the 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  20121007-12
[学会発表] III-V/Ge Channel MOS Transistor Technologies for Advanced CMOS2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, S,-H, Kim, R.Zhang, M.Yokoyama, N.Taoka and M.Takenaka
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
- 発表場所
  国立京都国際会館、京都府
- 年月日
  20120925-27
- 招待講演
[学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.C.Huang, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  Symposium on VLSI technology
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  20120612-14
[学会発表] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012)
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  20120305-07
[学会発表] 1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, N.Taoka, P.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington DC., USA
- 年月日
  20111205-07
[学会発表] MOS Interface Properties of Ge Gate Stacks based on Ge oxides and the Impact on MOS Device Performance2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, N.Taoka and M.Takenaka
- 学会等名
  41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2011)
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- 年月日
  20111201-03
- 招待講演
[学会発表] Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors"
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  20110621-24
[学会発表] Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates2011
- 著者名/発表者名
  J.-K.Suh, R.Nakane, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  37th Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  Santa Barbara, USA
- 年月日
  20110620-22
[学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  VLSI symp.
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  20110614-16
[学会発表] High Mobility Channel MOS Device Technologies toward Nano-CMOS era2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC)
- 発表場所
  Jeju, Korea (plenary)
- 年月日
  2011-10-21
[図書] 2. III-V/Ge デバイス構造, 先端LSI 技術大系(GNC Tech. Vol.2)、第3章将来技術2012
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 総ページ数
  202-210
- 出版者
  グローバルネット株式会社
[図書] Silicon-germanium (SiGe)-based field effect transistors (FET) and complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technologies, Silicon-germanium (SiGe) nanostructures -Production, properties and applications in electronics, chapter 19
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 総ページ数
  499-527
[備考]
- URL
  http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/

2013 年度 研究成果報告書

ゲルマニウムＭＯＳ界面電気伝導機構の解明と高移動度化手法の確立

研究代表者

高木 信一 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30372402)

研究成果

[雑誌論文] Impact of Plasma Post Oxidation Temperature on the Electrical Properties of Al2O3/GeOx/Ge p- and n-MOSFETs2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Impact of Plasma Post Oxidation Temperature on Interface Trap Density and Roughness at GeOx/Ge Interfaces2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] High Mobility Ge p- and n-MOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Atomic Layer-by-Layer Oxidation of Ge (100) and (111) Surfaces by Plasma Post Oxidation of Al2O3/Ge Structures2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O32012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] High Mobility Ge pMOSFET with 1 nm Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Suppression of ALD-Induced Degradation of Ge MOS Interface Properties by Low Power Plasma Nitridation of GeO22011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness on Al2O3/Ge MOS Interface Properties2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform2011

著者名/発表者名

雑誌名

2013 年度研究成果報告書

高木信一東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30372402)