本研究では、スピントロニック素子のナノ領域での磁気特性を評価するため、50 nm以下の空間分解能とピコ秒スケールの磁化反転特性の測定が可能な、2波長同時ヘテロダイン検波法を近接場磁気光学顕微鏡(MO-SNOM)に組み合わせた新しい磁気イメージング技術を開発することを目的としている。 今年度は、開発中のアパーチャーレスMO-SNOMの偏光特性の解析と高分子試料の偏光像の測定を行った。計測されたSNOM信号の偏光特性を解析した結果、散乱光が生じるプローブ先端とその近傍の試料は、偏光特性を保存し、波長板として機能していることをシミュレーション及び実験によって明らかにした。さらに、セルロースが原料となっているセロハンテープの表面のSNOM測定を行った結果、表面の凹凸の形状を反映した光学像と表面の硬さなどを反映した位相像の測定に成功した。一方、s偏光およびp偏光の光を入射した場合には、コントラストがそれぞれ反対になる結果が得られた。これらの結果は、試料表面の分極状態を反映したものであると考えられる。このことから、SNOMを用いた偏光測定によって、光照射による試料表面の分極状態を約10nmの空間分解能で計測できることに成功したといえる。さらに、2波長同時ヘテロダイン検波法とMO-SNOMを組み合わせたシステムの構築を行ったほか、計測用回路の設計を行った。これにより、ピコ秒スケールでの新しい磁気イメージング技術への進展が期待できる。
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