研究課題
基盤研究(B)
グラフェンおよび関連物質において、その電子物性が端や界面などの境界面によって強く変調を受けることを、理論・数値計算によって解析によって明らかにした。境界面に出現する特異な磁性状態では、キャリアドーピングによって、電荷およびスピンの励起ギャップが消失し、金属化することを見出した。さらに、コーナーエッジにおける特異な電子干渉効果などを発見した。また、グラフェン2重層系と呼ばれる、グラフェンと各種原子膜を人工的に積層した系における電子伝導特性を理論解析することで、デバイス設計に必要なる基礎理論を整備・提案した。
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