研究課題/領域番号 |
23310086
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
研究代表者 |
小栗 克弥 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (10374068)
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研究分担者 |
中野 秀俊 東洋大学, 理工学部, 教授 (90393793)
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社NTT 物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 (60393740)
加藤 景子 日本電信電話株式会社NTT 物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 研究主任 (40455267)
関根 佳明 日本電信電話株式会社NTT 物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任 (70393783)
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研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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キーワード | グラフェン / 超高速ダイナミクス / 時間分解光電子分光 / 表面増強ラマン散乱 / 電子位相緩和 / 高次高調波 |
研究概要 |
我々は、次世代の超高速デバイス材料として有望な大面積エピタキシャルグラフェンの超高速緩和ダイナミクスを明らかにすることを目的として、原子層一層レベルの表面の光励起キャリア緩和ダイナミクス計測が可能な高次高調波光源を用いたフェムト秒時間分解表面光電子分光法を実現した。また、30倍程度の信号強度増強効果を有する表面増強ラマン散乱分光法を確立し、基板のからのラマンピークと重畳することなく、エピタキシャルグラフェンのラマンピークの詳細な分析に成功した。更に、超高速過渡回折法を用いることにより、グラフェンの電子位相緩和計測に成功し、緩和時間をおよそ50 fsと見積もることができた。
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