• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2012 年度 実績報告書

半導体マクロアトムにおける弾性フォノン波を用いた量子相関フォトニクス

研究課題

研究課題/領域番号 23310097
研究機関日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

研究代表者

後藤 秀樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主幹研究員 (10393795)

研究分担者 舘野 功太  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (20393796)
小野満 恒二  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (30350466)
俵 毅彦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (40393798)
眞田 治樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 研究主任 (50417094)
寒川 哲臣  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主席研究員 (70211993)
章 国強  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 研究主任 (90402247)
研究期間 (年度) 2011-04-01 – 2014-03-31
キーワード量子ドット / メゾスコピック系 / 量子コンピュータ / 光物性
研究概要

(研究項目1:スピン初期化および回転・検出)単一マクロアトムにおけるスピン量子ビット実現に向け、静磁場を用いない単一スピン操作法を確立させる。スピン量子ビットには、スピンの向きの偏極化(初期化)、その偏極の操作(回転)および偏極の検出が必要である。H24年度は、マクロアトムの荷電励起子における偏光ポンピングを用いた実験結果を理論的に解析した。解析によって、初期化度は、荷電励起子を生成するレーザのエネルギーおよび偏光状態によって制御可能で、実験では0.9程度の初期化度となっていることを明らかにした。
(研究項目2:弾性フォノン波を用いた励起子輸送)マクロアトムのペア間に、弾性フォノン波を発生させて励起子を輸送し、光学技術によって検出する。実験では、マクロアトム試料の基本構造である、量子井戸構造に表面弾性波誘起用の電極を作製し、光励起によりスピン偏極した励起子を生成して、輸送した。弾性波中では、励起子を構成する電子のスピンの評価が可能となる。輸送中にスピンが回転することを観測し、外部磁場を印加した実験結果から、電子スピンにスピン軌道相互作用に起因する有効磁場が働いていることを明らかにした。これは、スピン方向の任意操作や、相関測定実現につながる重要な成果である。
(研究項目3:高制御性マクロアトム形成)III-V族化合物半導体ナノワイヤ作製技術を用いて、高制御性単一マクロアトムを実現する。高制御性とは、サイズ、形成位置、物性が高度に設計可能なものを指す。今年度は、ヘテロ構造の高品質化に取り組み、V族成長原料ガスによってヘテロ構造の組成制御性が大きく変化することを明らかにした。また、ナノワイヤを構成する元素を触媒とするナノワイヤ成長を発展させ、高品質なInAsナノワイヤの成長に成功した。これらは、研究目的である相関計測に必要な、高い発光効率を有するナノワイヤ実現のための基本技術となる。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

3つの要素研究で進展が見られ、それぞれの成果を会議および論文で発表するまで至っている。弾性フォノン波を用いた輸送に関しては、当初の計画には含まれないが、重要な成果が得られ、論文発表に加えて、報道発表も行った。各要素研究の組み合わせに向けて、基本となる技術も蓄積されてきている。

今後の研究の推進方策

引き続き各要素研究を進め、得られた成果をタイムリーに会議や論文で発表するとともに特許化も推進する。並行して、要素研究どうしの融合を進めていく。特に、要素研究1と2の組み合わせについて具体的手順を検討するが、個別研究として、スピン回転については基本的技術の立ち上げを進める。要素研究3に関しては、要素研究2との融合のために最適な構造を作製し、全体の計画を迅速に進められるよう配慮する。

  • 研究成果

    (19件)

すべて 2013 2012 その他

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (13件) 産業財産権 (2件)

  • [雑誌論文] Manipulation of mobile spin coherence using magnetic-field-free electron spin resonance2013

    • 著者名/発表者名
      H. Sanada, Y. Kunihashi, H. Gotoh, K. Onomitsu, M. Kohda, J. Nitta, P. V. Santos and T. Sogawa
    • 雑誌名

      Nature Physics

      巻: Vol.9 ページ: 280-283

    • DOI

      10.1038/nphys2573

    • 査読あり
  • [雑誌論文] VLS Growth of Alternating InAsP/InP Heterostructure Nanowires for Multiple-Quantum-Dot Structures2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tateno, G. Zhang, H. Gotoh, and T. Sogawa
    • 雑誌名

      Nano Lett.

      巻: Vol.12 ページ: 2888-2893

    • DOI

      10.1021/nl300482n

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charged exciton creation with two-color optical excitation method and analysis of initialization process of electron spin qubit in quantum dots2012

    • 著者名/発表者名
      H. Gotoh, H. Sanada, H. Yamaguchi, and T. Sogawa
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: Vol.111 ページ: 123520-1-6

    • DOI

      10.1063/1.4730602

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dynamic control of photoluminescence polarization properties in GaAs/AlAs quantum wells by surface acoustic waves2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sogawa
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 86 ページ: 035311-1-8

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.86.035311

  • [学会発表] 自己触媒法InPナノワイヤの成長過程における直径制御2013

    • 著者名/発表者名
      章 国強
    • 学会等名
      第60回応物関係連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      20130327-20130330
  • [学会発表] グラフェンを介したFe基板上InPナノワイヤ成長2013

    • 著者名/発表者名
      舘野功太
    • 学会等名
      第60回応物関係連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      20130327-20130330
  • [学会発表] 持続的スピンらせん状態におけるスピン空間分布の電界依存性2013

    • 著者名/発表者名
      国橋要司
    • 学会等名
      第60回応物関係連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      20130327-20130330
  • [学会発表] 酸化エルビウムエピタキシャル薄膜の光学特性2013

    • 著者名/発表者名
      俵 毅彦
    • 学会等名
      第60回応物関係連合講演会
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      20130327-20130330
  • [学会発表] InAsP-InAs-InAsP hetero-nanowires grown via the self-assisted vapor-liquid-solid mode2012

    • 著者名/発表者名
      G. Zhang
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      20120925-20120927
  • [学会発表] 自己触媒VLS法によるInAsP/InAs/InAsPヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長2012

    • 著者名/発表者名
      章 国強
    • 学会等名
      第73回応用物理学術講演会
    • 発表場所
      松山
    • 年月日
      20120911-20120914
  • [学会発表] 微小な金粒子を用いたInAsP/InPナノワイヤ成長2012

    • 著者名/発表者名
      舘野功太
    • 学会等名
      第73回応用物理学術講演会
    • 発表場所
      松山
    • 年月日
      20120911-20120914
  • [学会発表] 量子ドットを用いた良好なもつれ光子発生のための励起子分子生成2012

    • 著者名/発表者名
      後藤秀樹
    • 学会等名
      第73回応用物理学術講演会
    • 発表場所
      松山
    • 年月日
      20120911-20120914
  • [学会発表] Modifying Excitonic Properties in Quantum Dots using Coherent Phonons Induced by Ultrafast Optical Pulses2012

    • 著者名/発表者名
      H. Gotoh
    • 学会等名
      31st International Conference of the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Zurich, Switzerland
    • 年月日
      20120729-20120803
  • [学会発表] Imaging of Tunable Spin Precession in GaAs Moving Dots2012

    • 著者名/発表者名
      H. Sanada
    • 学会等名
      31st International Conference of the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Zurich, Switzerland
    • 年月日
      20120729-20120803
  • [学会発表] VLS growth of nanowires on graphen

    • 著者名/発表者名
      K. Tateno
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
  • [学会発表] InP/InAs multi-stacked heterostructure nanowires grown via the self-assisted vapor-liquid-solid mode

    • 著者名/発表者名
      G. Zhang
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
  • [学会発表] VLS Growth of III-V Semiconductor Nanowires on Graphene Layers

    • 著者名/発表者名
      K. Tateno
    • 学会等名
      2012 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
  • [産業財産権] 電子スピン操作装置2013

    • 発明者名
      眞田治樹
    • 権利者名
      眞田治樹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2013-034618
    • 出願年月日
      2013-02-25
  • [産業財産権] スピン装置およびその製造方法2012

    • 発明者名
      眞田治樹
    • 権利者名
      眞田治樹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2012-284410
    • 出願年月日
      2012-12-27

URL: 

公開日: 2014-07-24  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi