研究課題
基盤研究(B)
電子ドープInP/InGaP量子ドットでの励起強度に依存する時間分解カー回転信号を観測し、密度行列計算と比較してコヒーレントな自然放出光が電子・トリオン4準位系に及ぼす反作用が弱励起の場合にあらわに働くことを明らかにした。GaAs:N中の単一等電子トラップ(NNペア)に束縛された励起子からの発光に単光子発生を表すアンチバンチング現象をHanbury-Brown-Twiss量子相関測定により初めて見いだした。また、最短発光寿命が650psであることを明らかにした。
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