研究課題
基盤研究(B)
格子整合系量子ドットの複合励起子の電子相関の解明と,励起子分子準位からのカスケード発光による量子もつれ合い光子対発生の実証を目的として,液滴エピタキシー法による量子ドットの自己成長,単一ドット分光法による光子相関測定,および,配置間相互作用の方法による励起子準位の理論解析を実施した。AlGaAs(111)A面上の液滴エピタキシーにより,構造制御された高対称GaAs量子ドットの作製に成功し,これを用いて世界最高性能である忠実度86%の量子もつれ合い光子対発生に成功した。さらに,液滴エピタキシーの適用対象を拡張して,通信波長帯に励起子発光帯をもつ,格子整合系InAs量子ドットの作製にも成功した。
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