| 研究課題/領域番号 |
23340098
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
内藤 方夫 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (40155643)
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| 研究分担者 |
上田 真也 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 助教 (60442729)
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| 連携研究者 |
大柳 宏之 産業技術総合研究所, 光技術研究部門, 主幹研究員 (00344432)
山本 秀樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (70393733)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| キーワード | 高温超伝導 / モット絶縁体 / MBE、エピタキシャル / 銅酸化物 / 母物質超伝導 |
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| 研究概要 |
過去四半世紀、高温超伝導体をドープしたモット絶縁体とみなす描像が支持されてきた。一方、我々は、最近、T'-RE2CuO4がドーピングなしで超伝導化することを発見した。本研究は、T'-RE2CuO4がノンドープの超伝導体であることを確立し、上記描像を革新することを目的とした。アルカリ水酸化物溶融塩法により低温合成したT'-La2-xSmxCuO4のバルク試料は100％の超伝導体積分率を示した。バルク超伝導は薄膜試料に対する低速muSRからも支持された。物性測定からもノンドープT'-RE2CuO4と電子ドープT'-(RE,Ce)2CuO4の変化は連続的であり、基底状態は同じであると結論された。
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