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本研究の目的は光を用いて有機超伝導体および半導体の性質を示す縮環化合物を簡単に創製する事である。本年度はフェナセン構造に電子吸引性のアシル基（カルボニル基）を導入した化合物を光縮環法により作成し，高電圧や酸素等に対して安定な有機半導体材料としては希少なn型半導体として動作する事を期待される新規アシルフェナセンの創製を試みた。
トリフェニルホスフィンと4-ブロモメチルベンゾフェノンおよび4-ベンゾイル-1-ブロモメチルナフタレンのそれぞれのホスホニウム塩に対して，ベンズ，1-ナフチルおよび1-フェナンスリルのアルデヒドをWittig反応によりエテン体を作成した。ヨウ素と酸素の存在下，エテンに光照射しても縮環反応は起こらなかったが，カルボニル基のアセタール化を行ったところ，縮環反応が進行することが判った。アセタールの脱保護を行い， 3-ベンゾイルフェナセン，3-および6-ベンゾイルクリセン，2-および5-ベンゾイルピセン，3-および8-ベンゾイルフルミネンを得た。
得られた化合物の光物性測定を行った。シクロヘキサン中ではいずれの化合物からもケイ光は観測されなかった。しかし，クロロホルム，アセトニトリル，アルコール溶液中ではケイ光が観測された。ケイ光のLippert-Matagaプロットを行うと直線性が得られたことから，ケイ光性励起状態はカルボニル基からフェナセン部位への電荷移動性であることが判った。レーザー閃光分解法を用いてベンゾイルフルミネンの過渡吸収測定を行った。いずれの化合物も350-800 nmの波長領域に三重項-三重項の吸収を示したことから，溶液中では項間交差が起きている事が判った。
今年度新規に作成したベンゾイルフェナセンの半導体性・超伝導性は現在検討中であり，今後の研究の展開の大きな課題である。
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