研究課題
基盤研究(B)
ポリエチレンナフタレートを基板とし、微細加工技術を用いて、強磁性金属を数百 nm 間隔でを作製し,その上に分子性導体単結晶を配置する素子を作製した。電極間隔を系統的に変化させて磁場中での抵抗変化を計測することにより,スピン拡散長 (1.1 μm) および緩和時間(3 ns)を導出した。また,キュリー温度985KのCo2MnSiホイスラー合金エピタキシャル膜を電極として用い、Co/トリフェニルジアミン膜/Co2MnSi積層型スピンバルブを作製した。素子は室温で,約7.3%の抵抗変化を示した。
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