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2013 年度 実績報告書

エネルギー粒子可変ビームによるプラズマプロセス表面反応機構の解明とモデリング

研究課題

研究課題/領域番号 23360040
研究機関東北大学

研究代表者

久保田 智広  東北大学, 流体科学研究所, 准教授 (70322683)

研究分担者 寒川 誠二  東北大学, 流体科学研究所, 教授 (30323108)
研究期間 (年度) 2011-04-01 – 2014-03-31
キーワード中性粒子ビーム / エッチング形状予測 / イオンシース / 第一原理計算 / オンウェハモニタリング / ワイヤレス測定 / 紫外光照射損傷 / 欠陥生成
研究概要

プラズマエッチングにおける形状に影響を与える要素として、エッチング対象物の巨視的な表面形状の影響でイオンシースが曲げられ、そのためにイオン軌道が曲げられる効果について、プラズマのイオンシース状態を計測可能な「シース形状センサ」で得られた情報をもとにシース形状・イオン軌道を予測しエッチング形状を予測するシステムを構築した。予測したエッチング形状は実験結果と一致し、予測が正しいことが確認された。
さらに、プラズマ表面反応シミュレーションとして、イオン中性化メカニズムについて詳細に調べた。塩素中性粒子・イオンとグラファイト表面との衝突をモデルとして、シミュレーションに用いる系のサイズを拡大することで電荷が散乱する問題を解決し、定量的な中性化率予測が可能となった。
最終的に、これまで検討してきたオンウェハモニタリングによるエッチング形状予測を組み合わせ、総合的なエッチング形状予測を実現した。具体的には、巨視的スケールにおけるエッチング対象物形状の影響によりプラズマのシースが変化しイオン軌道が曲がる効果と、微視的スケールにおけるエッチング対象物形状(高アスペクト比ホール・トレンチ形状)の影響でチャージアップが起こりイオン軌道が曲がる効果を同時に考慮したシミュレーションを構築し、エッチング形状の傾向の予測を行った。
本システムの将来的な実用化を推進するために、測定システムのワイヤレス化を推進し、量産型装置に適用可能な直径300mmで薄型の測定システムを試作した。

現在までの達成度 (区分)
理由

25年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

25年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (18件)

すべて 2013 その他

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (13件) (うち招待講演 2件)

  • [雑誌論文] Proposal of High Current Gain Vibrating-Body Field-Effect Transistor2013

    • 著者名/発表者名
      S.Ueki, Y.Nishimori, K.Miwa, S.Nakagawa, H.Imamoto, T.Kubota, M.Sugiyama, S.Samukawa, and G.Hashiguchi
    • 雑誌名

      IEEJ Trans. Sensors Micromach.

      巻: Vol.133 ページ: 332-336

    • DOI

      10.1541/ieejsmas.133.332

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-damage silicon etching using a neutral beam2013

    • 著者名/発表者名
      K.Miwa, Y.Nishimori, S.Ueki, M.Sugiyama, T.Kubota, and S.Samukawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B

      巻: Vol.31 ページ: 051207 (6)

    • DOI

      10.1116/1.4819973

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Prediction of etching-shape anomaly due to distortion of ion sheath around a large-scale three-dimensional structure by means of on-wafer monitoring technique and computer simulation2013

    • 著者名/発表者名
      T.Kubota, H.Ohtake, R.Araki, Y.Yanagisawa, T.Iwasaki, K.Ono, K.Miwa, and S.Samukawa
    • 雑誌名

      J. Phys. D: Appl. Phys.

      巻: Vol.46 ページ: 415203 (7)

    • DOI

      10.1088/0022-3727/46/41/415203

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Highly Selective Silicon Nitride Etching to Si and SiO2 for Gate Sidewall Spacer Using CF3I/O2/H2 Neutral Beam2013

    • 著者名/発表者名
      Daiki Nakayama, Akira Wada, Tomohiro Kubota, Robert Bruce, Ryan M. Martin, Moritz Haass, Nicholas Fuller, and Seiji Samukawa
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 46 ページ: 205203(7pp)

    • DOI

      10.1088/0022-3727/46/20/205203

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Energy-loss Mechanism of Single-crystal Silicon Microcantilever due to Surface Defects Generated during Plasma Processing2013

    • 著者名/発表者名
      Akira Wada, Yuuki Yanagisawa, Batnasan Altansukh, Tomohiro Kubota, Takahito Ono, Satoshi Yamasaki, and Seiji Samukawa
    • 雑誌名

      Journal of Micromechanics and Microengineering

      巻: 23 ページ: 065020(7pp)

    • DOI

      10.1088/0960-1317/23/6/065020

    • 査読あり
  • [学会発表] 中性粒子ビームエッチングプロセスの総合的シミュレーション

    • 著者名/発表者名
      渡辺尚貴,大塚晋吾,岩崎拓也,小野耕平,入江康郎,望月俊輔,久保田智広,寒川誠二
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
  • [学会発表] オンウェハモニタリングによるプラズマエッチング形状予測

    • 著者名/発表者名
      久保田智広,佐藤充男, 岩崎拓也,小野耕平,寒川誠二
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
  • [学会発表] Silicon micromechanical resonator with high quality factor fabricated by damage-free neutral beametching process

    • 著者名/発表者名
      Halubai Sekhar,久保田智広,Van Toan Nguyen,小野崇人,寒川誠二
    • 学会等名
      第61回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
  • [学会発表] オンウェハモニタリングによるプラズマエッチング形状異常予測

    • 著者名/発表者名
      久保田智広,佐藤充男,岩崎拓也,小野耕平,寒川誠二
    • 学会等名
      第61回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
  • [学会発表] Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl2 Neutral Beam

    • 著者名/発表者名
      Halubai Sekhar ,久保田智広,岡田 健,太田実雄,藤岡 洋,寒川誠二
    • 学会等名
      第61回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
  • [学会発表] 塩素中性粒子ビームを用いた窒化物薄膜のエッチング特性

    • 著者名/発表者名
      太田実雄,Halubai Sekhar,久保田智広,岡田 健,寒川誠二,藤岡 洋
    • 学会等名
      第61回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
  • [学会発表] アンペロメトリックバイオイメージングプラットフォーム「バイオLSI」

    • 著者名/発表者名
      井上 久美、松平 昌昭、伊野 浩介、中野 将識、菅野 佑介、須田 篤史、國方 亮太、吉田 慎哉、早坂 丈、菊地 良幸、Xijiang Chang、久保田 智広、珠玖 仁、田中 秀治、寒川 誠二、末永 智一
    • 学会等名
      第74回分析化学討論会
    • 発表場所
      日本大学工学部
  • [学会発表] Feature profile evolution in plasma processing using on-wafer monitoring system

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Kubota, Michio Sato, Takuya Iwasaki, Kohei Ono, and Seiji Samukawa
    • 学会等名
      AVS 60th International Symposium & Exhibition
    • 発表場所
      Long Beach Convention Center,アメリカ
  • [学会発表] Numerical simulation of total processes of neutral beam etching from generation of neutral beam by collision of ions against graphite sidewall to 3-dimensional etching profile

    • 著者名/発表者名
      Naoki Watanabe, Shingo Ohtsuka, Shunsuke Mochizuki, Tomohiro Kubota, Takuya Iwasaki, Yasuroh Iriye, Kohei Ono, and Seiji Samukawa
    • 学会等名
      AVS 60th International Symposium & Exhibition
    • 発表場所
      Long Beach Convention Center,アメリカ
  • [学会発表] On-wafer monitoring technique for highly efficient fabrication process of nano energy devices

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Kubota and Seiji Samukawa
    • 学会等名
      10th International Conference on Flow Dynamics
    • 発表場所
      Sendai International Center
    • 招待講演
  • [学会発表] Feature Profile Evolution in Plasma Processing using On-wafer Monitoring System

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Kubota and Seiji Samukawa
    • 学会等名
      8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing
    • 発表場所
      Fukuoka Convention Center
    • 招待講演
  • [学会発表] Fabrication and evaluation of silicon micromechanical resonator using neutral beam etching technology

    • 著者名/発表者名
      Nguyen Van Toan, Tomohiro Kubota, Halubai Sekhar, Seiji Samukawa, and Takahito Ono
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems
    • 発表場所
      Hyatt Regency Waikiki,アメリカ
  • [学会発表] Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl2 Neutral Beam for High-Performance HEMTs

    • 著者名/発表者名
      Halubai Sekhar, Tomohiro Kubota, Takeru Okada, Yosuke Tamura, ChangYong Lee, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka, and Seiji Samukawa
    • 学会等名
      The 3rd International Symposiumon Next-Generation Electronics
    • 発表場所
      Chang Gung University,台湾

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公開日: 2015-05-28  

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