研究課題
基盤研究(B)
本研究では,(1) 従来の回路構成,動作原理とは全く異なるマルチレベル電力変換器の新規トポロジー群を見出し,マルチレベル技術の枠組みを拡張,再構築できた。(2) 従来方式と新規トポロジー群を半導体素子数,受動素子数,電源数,絶縁ドライブ回路数,電力変換効率,実装や制御の難易度などの観点から総合的に比較評価し,それぞれの特徴を活かした応用に対する技術的基盤を提供できた。(3) 新規トポロジー群の中から,SiC-MOSFETに代表される次世代半導体素子を利用した電力変換器のあるべき姿を提示した。
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