研究課題
基盤研究(B)
負のスピン分極を示すFe4Nの類型材料であるMn4N薄膜およびCo3FeN薄膜の単相合成を行った。Mn4N薄膜は垂直磁気異方性を示した。スピン軌道相互作用ならびに結晶場分裂を取り入れた異方性磁気抵抗(AMR)効果の理論を構築した。Co3FeNのAMR比は負でありハーフメタルの可能性が示唆された。スピネル薄膜をトンネル障壁層としたFe4N基強磁性トンネル接合でインバーストンネル磁気抵抗効果が観測された。Fe4N/Pt二層膜の逆スピンホール効果の計測から、強磁性共鳴下でのFe4N薄膜からの高効率スピン流生成が示された。
すべて 2014 2013 2012 2011 その他
すべて 雑誌論文 (10件) (うち査読あり 10件) 学会発表 (18件) (うち招待講演 1件) 備考 (1件)
Applied Physics Express
巻: (in press) ページ: 7
Phys. Status Solidi C
巻: 11 ページ: 1026-1032
10.1002/pssc.201300736
IEEE Transaction on Magnetics
巻: 50 ページ: 1401204-1-4
10.1109/TMAG.2013.2276418
Hyperfine Interact
巻: 217 ページ: 127-135
10.1007/s10751-012-0734-0
Advanced Materials Research
巻: 750-752 ページ: 750-752
10.4028/www.scientific.net/AMR.750-752.978
巻: 6 ページ: 06300-1-4
10.7567/APEX.6.063004
Japanese Journal of Applied Physics
巻: 52 ページ: 073001-1-4
10.7567/JJAP.52.073001
Journal of The Physical Society of Japan
巻: 81 ページ: 024705-1-17
10.1143/JPSJ.81.024705
巻: 51 ページ: 068001-1-2
10.1143/JJAP.51.068001
Journal of Applied Physics
巻: 109 ページ: 07B911-1-3
10.1063/1.3560047
http://www.ecei.tohoku.ac.jp/ecei_web/Laboratory/takahashi_j_index.html