研究課題
基盤研究(B)
独自に見出した低成長温度・レアアースレス等の特徴を持つ(Cu, C)-1201極薄膜の超伝導発現機構を検討し、ヘテロ界面歪効果が重要なことを確定するとともに、歪みエピタキシャル成長する類縁物質を1201層の上下に挿入し両界面の格子不整合を制御することで特性向上を達成した。この積層の人為的繰り返しは単位幅当たりの臨界電流密度向上の有望な手法として位置づけられる。また、全元素同時堆積法による薄膜においても超伝導発現に成功し、実用的作成法の端緒を開くことに成功した。以上より、人工積層構造の制御により、無毒性元素・レアアースレス高温超伝導薄膜材料の創成、形成基盤技術確立という目的を達成したと考える。
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