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本研究では15nm以下のクラスのレジストパターンのLER凝集性の抑制について、原子間力顕微鏡(AFM)を中心に実験的実証を行った。パターン内のLER制御には、パターンを構成する高分子集合体の凝集制御が必要となる。DPAT法によるはパターン剥離実験から、パターン底部の高分子集合体の凝集モードが大きく影響すること確認した。これらは、基板界面への溶液の浸透実験からも確認している。さらに、溶液中のゼータ電位に起因する帯電性も、高分子集合体の凝集性に影響することを示している。以上のように、レジストパターンのLER制御において、高分子集合体のサイズおよび凝集分布の設計への寄与が可能となる。
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