研究課題
基盤研究(B)
微小構造からの散乱近接場光は局在し、フェムト秒レーザー励起光強度より増強近接場強度となり、ナノプロセシングが可能となる。本研究は、照射方式、散乱体構造・サイズ、プロセス基板の種類から、近接場特性とアブレーション特性を明らかにした。プラズモニック散乱とMie散乱近接場の特徴を明確にした。散乱増強近接場光とともに、散乱遠方場光を使った表面微細周期構造の作製とその作製メカニズムを解明した。
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