研究課題
基盤研究(B)
本研究では、反応過程の解明を通じたプラズマの高度制御により、酸化物半導体薄膜トランジスタを形成するプロセスの低温化と高品質化を実現する新しいプロセスの確立を目的とし、低インダクタンス内部アンテナにより生成される低ダメージ高密度プラズマを援用したスパッタ製膜プロセスの開発に主眼をおいて研究を行った。その結果、各種ポリマーの耐熱温度よりも低い温度でも良好な特性を示す薄膜トランジスタを形成可能であることが示され、新たな製膜技術としての発展が期待される。
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Japanese Journal of Applied Physics
巻: 52 ページ: 11NB05
10.7567/JJAP.52.11NB05