| 研究課題/領域番号 |
23360326
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| 研究機関 | 愛媛大学 |
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研究代表者 |
豊田 洋通 愛媛大学, 理工学研究科, 准教授 (00217572)
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| 研究分担者 |
野村 信福 愛媛大学, 理工学研究科, 教授 (20263957)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | プラズマ加工 / 材料加工・処理 / 結晶成長 / 表面・界面物性 |
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| 研究概要 |
[1] 低耐熱基板，金属基板上へのダイヤモンド形成
金属などの熱に弱い基板上に，デバイスへの応用として，ダイヤモンド膜の高速形成を試みた．高温デバイスの絶縁性放熱基板への応用を考えて，高熱伝導率のCu基板上に高品質な膜形成を試みた．高純度のダイヤモンド膜の形成には成功したが，形成（800℃）と形成後（常温）の温度差による，熱収縮によって，形成できた膜が剥離するという問題点が生じた．
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[2] ダイヤモンド基板上へのダイヤモンドの高速ホモエピタキシー
高圧合成ダイヤモンド上へのダイヤモンドの高速ホモエピタキシャル成長を試みた．基板の面方位の違いによる，ホモエピタキシーを精査し，ダイヤモンド半導体デバイス用の単結晶ダイヤモンドの高速合成を試みた．(100)には，ホモエピタキシャル成長が起こることがわかり，(111)には，多結晶のダイヤモンドが成長することがわかった．
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
当初計画していた，高分子基板上へのダイヤモンド合成は実現できなかったが，これまで薄膜形成が難しかったCu基板上に安定してダイヤモンド膜の形成が行えることがわかり，電子デバイスへの応用が見いだせたことは評価できる．
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| 今後の研究の推進方策 |
[1] 低耐熱基板，金属基板上へのダイヤモンド形成
高純度のダイヤモンド膜の形成には成功したが，形成（800℃）と形成後（常温）の温度差による，熱収縮によって，形成できた膜が剥離するという問題点が生じた．本年度は，金属基板の熱膨張率をダイヤモンドに合わせることと，昨年度の基板表面前処理の成果を用いて，均一で高純度のダイヤモンド膜の形成を行う．
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[2] ダイヤモンド基板上へのダイヤモンドの高速ホモエピタキシー
基板の面方位の違いによる，ホモエピタキシーを精査し，ダイヤモンド半導体デバイス用の大径単結晶ダイヤモンドを高速合成する．
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