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[1]低耐熱基板，金属基板上へのダイヤモンド形成
昨年度は，高温デバイスの絶縁性放熱基板への応用を考えて，高熱伝導率のCu基板上に高品質な膜形成を試み，金属基板の熱膨張率をダイヤモンドに合わせるための中間層を，基板に前形成することによって，剥離の無い高純度なダイヤモンド膜をCu基板上に形成できた。本年度はその方法を用いて，高純度ダイヤモンド膜を任意の基板上に形成することを試みた。ダイヤモンド膜形成時の原料物質と考えられる炭素原子の金属基板内への拡散係数が低い方が，ダイヤモンド膜を安定に形成できることが明らかとなった。昨年度の結果と合わせて考察すると，熱膨張係数が，ダイヤモンドと基板の中間であり，炭素原子の拡散係数が低いシリコンが中間層として最適であることが明らかとなった。
[2] ダイヤモンド基板上へのダイヤモンドの高速ホモエピタキシー
昨年度は，高圧合成ダイヤモンド上へのダイヤモンドの高速ホモエピタキシャル成長に成功した.基板の面方位の違いによるホモエピタキシーを精査し，ダイヤモンド半導体デバイス用の大径単結晶ダイヤモンドを高速合成した。
[3] 成果の公表
[1] [2]の成果を，Joint Conference in Renewable Energy and Nanotechnology（JCREN2014）国際会議および精密工学会秋季大会で発表して， 研究のまとめとした。
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