半導体コロイダルナノドット薄膜をフローティングゲートに用いたペンタセンメモリトランジスタにおいて、メモリ効果(伝達特性におけるしきい値電圧のシフト)が生じる最小の記録電圧が同ドットのサイズに依存し、ドットが小さい方が高いことを示した。これはペンタセン層からドットに電子がトンネルして閉じ込められることによってメモリ効果が生じるというモデルを支持する結果である。さらに、この結果に基づきドットの配位子を除去することによって記録時間の短縮を検討した。その結果しきい値シフト量が飽和するまでの記録時間を約1/3にすることができた。
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