研究課題
基盤研究(C)
代表的な半導体について、光励起により生成された非平衡励起キャリア(伝導帯励起電子及び価電子帯正孔)のエネルギー・波数べクトル空間における密度分布の時間発展をフェムト秒時間分解光電子分光法により測定し、キャリア緩和過程の特徴とそれを支配する散乱素過程を明らかにした。伝導帯非平衡励起電子系については、intervalley散乱効率及び準平衡・平衡分布に至る熱化時間を直接的に決定した。さらに、1光子光電子差分分光の手法を新たに開発し、価電子帯における正孔の緩和過程の観察に初めて成功した。これにより、シリコンにおける価電子正孔系の超高速緩和過程とバルク・表面状態間の散乱過程等について直接的知見を得た。
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