研究課題
基盤研究(C)
本研究は、電子や正孔がもつスピン自由度に着目し、先端的スピン計測法を用いて、半導体中にトラップされた電子と正孔の再結合確率を決める電子と正孔の空間分布を実験的に観測することを目的とした。スピン間距離を計測するための条件に合致する再結合発光系を選定し、40 K以下の低温域で電子と正孔のスピン相互作用に由来する信号変調を見いだした。解析の結果、2~4 nm程度に離れた電子と正孔がスピン双極子相互作用していることを捉えた。
光物性
