研究課題
本研究はGaAsの負の電気陰性度をもつ表面(NEA表面)からHeNeレーザーを用いて電子を励起することで,運動エネルギーの揃った電子を取り出す事を第一の目標とし,これを用いた逆光電子分光実験により非占有電子状態を高精度で観察することを第二の目標として取り組んでいる。第一の目標達成のために,GaAs結晶表面を清浄化しNEA表面を作成する実験槽の立ち上げに取り組んでいる。同時にNEA表面の作成後,放出電子の特性を評価するための分析系の整備も並行して準備している。現在,低速電子線回折装置(LEED)を備えた試料準備装置が立ち上がり,同装置内でのNEA表面作成を実施することで,NEA表面の表面構造と電子線放出特性の両面を抑えた議論が可能となる。また,LEED装置を用いて簡易なエネルギー分析も可能とする計画である。一方,正確な電子エネルギーのプロファイルを観測するために,電子線のエネルギー分析器を備えた実験装置(既存)への接続を可能とするための試料移送系の整備も行っている。今年度は,電子エネルギー分析器の整備に技術的な問題が発生し,その解消に時間を必要としたが,概ね,エネルギー評価可能な状況にある。最終年度に向けて,第二の目標である非占有電子状態の観測系の準備も進めており,現有の逆光電子分光装置にGaAsNEA表面の電子源を導入するために必要な接続部分の整備にとりかかった。一方,安全のために簡便な構造で扱い易いバンドパス型の光検出器の準備を進めている。占有電子構造を観測するスピン偏極光電子分光実験については,本研究とは別に取り組んでいるが,占有および非占有電子状態の両面を把握し比較できるレベルに持って行くためにはGaAsNEA表面からの電子のエネルギー分布の評価が必要であり最終年度に取り組むべき課題は多い。
3: やや遅れている
3年計画で進めてきたが,実験装置の準備に多くの時間を必要とした。GaAsからの電子を評価する実験を平成24年度に実施すべきであったが,GaAs表面を作成する超高真空チェンバーの真空立ち上げにいくつかトラブルがあり解消に時間を要した。GaAsNEA表面の実験では,超高真空が不可欠でありそのために微小なリークなどの問題を解消する必要があった。排気装置の見直し,問題カ所の特定など多大な時間を費やすことになった。また,電子線を観測するための電子エネルギー分析装置の整備も行うことになっていたが,電子エネルギー分析器の検出系に不具合があり,これを解消するためアナライザーの詳細な点検を必要とした。これらいくつかの実験上の課題により実際に計測を行うためのスケジュールが遅れることになった。一方,遅れをとりもどすために最終年度で取り組む内容を前倒しで進めており,その意味でやや遅れていると評価している。
本研究の最終年度には,具体の計測実験を早急に実施するために試料まわりの細かな作業を中心に研究活動を行う。前期にNEA表面からの電子のエネルギープロファイルを計測する。基盤温度を変化させてGaAsからの電子のエネルギーおよび運動量分布を計測し,基板温度と電子線の状態,電子線の電流値を増やした際のプロファイル変化などについて観察する。これらの計測は,これまで整備した実験装置を活用することを念頭においているが,一方で,放射光科学研究センターの実験装置の活用も視野にいれ,早急に成果の得られる手段で対応する。逆光電子分光実験においては,研究成果を早急に出す事を第一に考え,簡易な光検出器を用いた逆光電子分光スペクトルの計測を実施する。この成果に基づいて,より詳細な研究を行える既存の逆光電子分光装置に接続した本格的な研究へと持ち込む。
次年度は,研究を進めるための真空部品,試料材料,電気配線材料などの実験消耗品と報告書作成のための印刷経費を計上している。
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