| 研究概要 |
本研究では、ZnO とGaN をベースとしたハイブリッドマイクロキャビティの作製方法を確立した。特に、3種の結晶成長法 (MOCVD, MBE, UHCVD法) の組み合わせでクラックのない ZnO/GaNマイクロキャビティを作製できること、GaNマイクロキャビティは、MOCVD法による結晶の横方向への優先成長で良質なキャビティ層の成長ができることを見出した。さらに、反射や光ルミネッセンスのような光学特性評価を通じて、マイクロキャビティによるコヒーレントフォノンとキャビティポラリトンの相互作用の解明も試みたが、コヒーレントフォノンの生成にいたらなかった。今後も検討を継続する予定である。
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