研究課題
基盤研究(C)
YbInCu4が~40 Kで示す価数相転移の機構を明らかにするため、Inを周期表両隣の元素で置換したYbXCu4(X=Cd, Sn)について硬X線光電子分光実験(HAXPES)を行い、YbInCu4の結果と比較した。YbInCu4でCuサイト上の伝導電子数が最も多く、CuからYbに電荷が移動しやすくなっていることが価数相転移と関連していると考えられる。最近合成された新規近藤格子系YbNi3X9 (X=Al, Ga)が、YbInCu4の高温相、低温相に類似していることに注目してHAXPESを行い、比較から伝導電子がYb 4f軌道に移動することでYbInCu4の価数相転移が生じる機構を提案した。
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