研究課題
基盤研究(C)
擬一次元物質BaVS3が70 Kで示す金属絶縁体転移の機構を明らかにするために、転移前後でのV 3d状態の変化を、角度分解光電子分光(ARPES)、軟X線吸収二色分光(LD)を中心として調べた。ARPESより、a1g軌道は一次元不安定性により70 Kより上の150-120 Kでギャップを形成し、一方egp軌道は局在化により丁度70 Kでギャップを形成することを明らかにした。LDよりV 3d軌道の占有比率は変化しないことが分かった。LDスペクトルの理論解析より、V 3d軌道はV鎖方向にegp-egp-egp-a1gで占有されている可能性が高いことが分かった。
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