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2013 年度 研究成果報告書

CVD合成されたグラフェンのサイクロトロン共鳴に関する研究

研究課題

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研究課題/領域番号 23540429
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 物性Ⅱ
研究機関独立行政法人物質・材料研究機構

研究代表者

竹端 寛治  独立行政法人物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, 主幹研究員 (50354361)

連携研究者 高増 正  物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, グループリーダー (60212015)
今中 康貴  物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, グループリーダー (70354371)
三井 正  物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, 主任研究員 (90343863)
研究期間 (年度) 2011 – 2013
キーワード分子性固体・有機導体 / グラフェン / サイクロトロン共鳴
研究概要

CVD法により合成された大面積単層グラフェンについてサイクロトロン共鳴に関する研究を行った。その結果、グラフェンのバンド速度は支持基板により大きく異なることを見出した。この結果はこれまでの多体効果を考慮した理論では説明できず、基板との相関に起因するグラフェンの歪みや基板との接着などに起因する可能性がある。また、最低ランダウ準位間遷移0→+1の吸収線は2成分からなり磁場とともに吸収強度比が変化する振る舞いが観測された。
既存の強磁場中分光装置の改良に関しては検出器部分をサンプル直下に設置するための検出器ユニットを製作し、低温強磁場中での動作確認を行い、15Tまでの磁場中で遠赤外光検出に成功した。

  • 研究成果

    (4件)

すべて 2014 2013 2012

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (3件)

  • [雑誌論文] Substrate dependence of cyclotron resonance on large-area CVD grapheme2014

    • 著者名/発表者名
      K. Takehana, Y. Imanaka, T. Takamasu, Y. Kim, K. -S. An
    • 雑誌名

      Current Applied Physics

      巻: Vol. 14, No. 1 ページ: 119-122

    • DOI

      10.1016/j.cap.2013.11.010

    • 査読あり
  • [学会発表] CVDグラフェンにおけるLog T抵抗増大2013

    • 著者名/発表者名
      竹端寛治, 今中康貴, 高増正, Y. Kim, K. -S. An
    • 学会等名
      東京大学物性研究所短期研究会「極限強磁場科学」
    • 発表場所
      東京大学物性研究所, 柏市
    • 年月日
      20131031-1101
  • [学会発表] Cyclotron resonance and magneto-transport measurement on CVD grapheme2013

    • 著者名/発表者名
      K. Takehana, Y. Imanaka, T. Takamasu, Y. Kim, K. -S. An
    • 学会等名
      The 16th International Symposium on the Physics of Semiconductor
    • 発表場所
      Jeju, 韓国
    • 年月日
      20130702-05
  • [学会発表]2012

    • 著者名/発表者名
      竹端寛治, 今中康貴, 三井正, 高増正, 渡辺英一郎, 大里啓孝, 津谷大樹, Y. Kim, K. -S. An, B. H. Hong
    • 学会等名
      日本物理学会2012年秋季大会
    • 発表場所
      横浜国立大学, 横浜市
    • 年月日
      20120918-21

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公開日: 2015-07-16  

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